اكسيد گرافن، ماده اي گرانقيمت و پركاربرد است كه حوزه وسيعي از فني مهندسي تا پزشكي را در بر مي گيرد. گرافن هاي تك لايه و كم لايه را با روش هاي مختلفي مي توان سنتز كرد. فرآيندهاي سنتز را ميتوان در گروه هاي لايه برداري، رسوب گذاري بخار شيميايي (CVD)، تخليه قوس الكتريكي و احياي اكسيد گرافن طبقه بندي كرد. هر كدام از روش ها مزايا و معايب خود را دارند. در ابتدا اكسيد گرافن ضخيم را به روش شيميايي به روش هامر سنتز نمودند كه همچنان از اين روش استفاده مي شود. پس از مدتي اين روش را بهبود دادند و آن را روش اصلاح شده ناميدند. اما همچنان محصول نهايي تك لايه و يا كم لايه نمي شود، و تغييرات دمايي و پروسه سنتز بسيار طولاني و وقت گير نيز مي باشد. در اين اختراع اكسيد گرافن از پيش ماده گرافيت به روش شيميايي و البته تك مرحله اي كه در يك مرحله هم فاصله ي بين لايه ها افزايش مي يابد كه نتيجه آن كاهش نيروي واندروالسي است و هم فرآيند اكسيداسيون بعلت استفاده همزمان از دو اكسيد كننده قوي انجام مي شود. هدف از اين اختراع معرفي روشي ساده، اما بدون تضعيف نمودن ساير خواص و ويژگي ها براي توليد در حجم بالا است. برخلاف ساير روش هاي ساخت، در اين روش نياز به حضور مداوم در مدت زمان سنتز براي ايجاد تغييرات دمايي نمي باشد. در اين روش تعداد لايه هاي محصول نهايي 4 تا 7 لايه و فضاي بين لايه اي نيز تا 8 آنگستروم افزايش و ضخامت لايه ها نيز 0/5 تا 5 نانو متر حاصل مي شود.